Tohru Higuchi 研究室
主宰者:Tohru Higuchi
東京理科大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室では、イオンと電子が同時に移動できる酸化物薄膜材料の設計・製作・評価を中心に研究を進めています。固体酸化物燃料電池や全固体リチウムイオン電池などの次世代エネルギーデバイスの性能向上に向けて、プロトン導電性や酸素イオン導電性を持つ材料の電気化学特性と電子構造を詳細に調べています。特に、RF マグネトロンスパッタリングなどの薄膜製造技術により、特定の結晶方向に配向した材料を作製し、X 線光電子分光法や吸収分光などの分析手法を用いて、材料内の原子的欠陥やイオン濃度を定量評価しています。
さらに、これらの混合導電性酸化物薄膜をデバイス構造に組み込むことで、神経型コンピューティング機能の実装に取り組んでいます。電気二重層トランジスタやメモリスタといった素子において、パルス電圧印加時のイオン移動と電子移動のダイナミクスを利用して、脳のシナプス特性を模倣した動作を実現しています。また、プロトン導電膜と半導体材料の組み合わせにより、室温での超高速スイッチング応答を達成するなど、ナノデバイス応用を視野に入れた研究も展開しています。これらの成果は、低消費電力で高性能な次世代電子デバイスの開発基盤となると期待されています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果(10 件)
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- [2024] A high-performance deep reservoir computer experimentally demonstrated with ion-gating reservoirsDOI: https://doi.org/10.1038/s44172-024-00227-y
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mtadv.2023.100393
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mtphys.2023.101006
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac594f
- DOI: https://doi.org/10.1038/s42004-021-00554-7
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0033761
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