Akane Samizo 研究室

主宰者：Akane Samizo
東京理科大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

この研究室は、酸化物半導体や高融点複合材料の物質設計と機能制御に取り組んでいます。従来の酸化物は電子伝導（n型）には優れていますが、正孔伝導（p型）を示しにくいという課題があり、この研究室ではスズやビスマスなどの金属元素を用いた新規酸化物材料を開発することで、p型半導体としての機能を引き出すことを目指しています。 研究の手法としては、計算熱力学による物質設計と、X線分光や回折などの分析技術を組み合わせています。具体的には、電子の価電帯最大値の構造を理論的に予測した上で、適切な元素をドープしたり、焼成条件を制御したりすることで、酸素欠陥や結晶構造の乱れを操作し、正孔キャリア濃度を意図的に調整します。また高融点材料では、計算位相図を用いて金属融液を繊維プリフォームに浸透させるプロセスを設計しています。 主な成果として、スズやビスマスを含む複数の酸化物材料でp型半導体特性を実現し、さらには正孔と電子の両方の伝導を示す両極性特性も実証しています。これらの研究を通じ、酸化物の欠陥構造と電気特性の相関を解明することで、透光性を持つ新しい電子デバイス材料の開発につながる基礎を構築しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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