Kosuke Ota 研究室
主宰者:Kosuke Ota
早稲田大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、ダイヤモンドを用いた次世代電力素子の開発に取り組んでいます。研究の問いは、ダイヤモンドの優れた物理特性(高い熱伝導性、広いバンドギャップなど)を活かして、高温・高電圧・大電流に対応できる電子デバイスをいかに実現するかという点にあります。特に、電力変換回路に必要とされる相補型の電界効果トランジスタ(n型とp型)の両立実現が重要な課題です。
手法としては、ダイヤモンド基板の表面を水素や酸化珪素で終端処理し、二次元正孔ガスと呼ばれる電子状態を誘起する方法を採用しています。さらに、ボロン添加層の成長やトレンチ構造の導入など、デバイス構造を工夫することで、接触抵抗の低減や絶縁破壊電圧の向上を目指しています。多指構造による大電流化や現在のシリコンカーバイド・窒化ガリウムデバイスとの複合化なども検討されています。
これまでの成果として、アンペア級の大電流と数百ボルトの高い耐圧を併せ持つデバイスの実現、低いオン抵抗特性の達成、さらに双方向遮断が可能なスイッチの開発など、段階的な性能向上が報告されています。こうした研究は、電動車両の高速充電装置や再生可能エネルギーシステムなどの実用化に向けた基盤技術となることが期待されています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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- [2025] DC and RF characteristics of scalable multi-finger 2DHG diamond MOSFETs with a source-via structureDOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae2f0f
- DOI: https://doi.org/10.1109/apcc62576.2024.10768081
- DOI: https://doi.org/10.1097/01.tp.0001067724.39588.a7
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- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.d-2-02
- [2023] Normally-off operation in vertical diamond MOSFETs using an oxidized Si-terminated diamond channelDOI: https://doi.org/10.1016/j.carbon.2023.118099
- DOI: https://doi.org/10.1002/aelm.202201122
- DOI: https://doi.org/10.1109/iedm45741.2023.10413761
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.n-6-02
- DOI: https://doi.org/10.3390/jpm13040582
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.ekir.2022.01.314
- DOI: https://doi.org/10.20965/jaciii.2022.p0995
- DOI: https://doi.org/10.1109/led.2021.3131038
- DOI: https://doi.org/10.2109/jcersj2.21085
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