Kiyotaka Horikawa 研究室

主宰者：Kiyotaka Horikawa
早稲田大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

堀川研究室は、窒化ガリウム（GaN）や酸化ガリウム（Ga₂O₃）といった次世代パワーデバイス用の半導体材料上に、原子層成膜法を用いて極薄の酸化膜や窒化膜を形成し、その電気的特性を調査する研究を行っています。特に、これらの膜と半導体の界面における電子の移動や漏れ電流の発生メカニズムを、空間電荷制御電界放出という理論的枠組みで解析することで、デバイス性能の劣化を防ぐための材料設計指針を探索しています。 成膜温度やその後の熱処理条件がデバイス動作の安定性に及ぼす影響が主要な研究テーマです。高温での成膜処理により酸化膜が結晶化し、電子のエネルギー障壁が高くなることで漏れ電流が大きく低減すること、また界面の不完全性も同時に改善されることを報告しています。さらに、ダイヤモンドを基板とした高温・高電力動作用の新型トランジスタ開発も手がけており、様々な半導体材料で高性能なデバイスを実現するための基礎的知見を蓄積しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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