Shaili Falina 研究室
主宰者：Shaili Falina
早稲田大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
Shaili Falina研究室では、窒化ガリウム(GaN)などの広いバンドギャップを持つ半導体材料を用いた高性能電子デバイスの開発と解析に取り組んでいます。特に、高い電子移動度を持つトランジスタ(HEMT)の構造設計と性能向上が主要な研究テーマです。電力変換、高周波増幅、センサーなど、実用的な応用が期待される領域でのデバイス実現を目指しています。
研究手法としては、数値シミュレーション(COMSOL Multiphysicsなど)を用いた理論的な解析が中心となります。デバイスの構造パラメータ(層厚、誘電体材料、トレンチ形状など)を段階的に変化させ、電場分布や電気特性への影響を調べています。並行して、金属有機化学気相成長法(MOCVD)による試料作製、X線回折やホール効果測定などの実験的評価も行われています。
主な発見としては、デバイス構造の工夫によって絶縁破壊電圧を大幅に向上させることが可能であること、またGaNデバイスを水溶液ゲート型に改良することで、pH測定や農薬・抗生物質などの化学物質検出といった バイオセンサー応用が実現できることが報告されています。これらの成果は、次世代の電力機器やバイオメディカルセンサーの開発に貢献する基礎となります。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（26 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0278331
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- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0215799
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.rinp.2024.107952
- DOI: https://doi.org/10.1149/1945-7111/ad6e21
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- [2023] Impact of Notch Structures on Transfer Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs: A Simulation StudyDOI: https://doi.org/10.4028/p-xxb0t7
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- DOI: https://doi.org/10.1109/jsen.2023.3257348
- DOI: https://doi.org/10.3390/cryst13010090
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- DOI: https://doi.org/10.3390/mi12121497
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