Norio Tokuda 研究室

主宰者：Norio Tokuda
金沢大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、ダイヤモンド半導体の物理的・化学的特性を活かした電子デバイスおよびセンサーの開発に取り組んでいます。ダイヤモンドは極めて優れた熱伝導率、高いキャリア移動度、広いバンドギャップを備えており、次世代の高出力デバイスや高周波回路、光学素子の材料として有望です。研究室では、マイクロ波プラズマ化学気相成長法によるダイヤモンド膜の成長制御、表面加工技術、不純物ドーピング手法の開発を進めています。 デバイス応用では、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）や p-i-n ダイオードなどの開発を重点的に行い、特に電子チャネルの移動度向上と接触抵抗の低減を目指しています。ニッケル膜を用いた化学的エッチング、窒化物の不純物制御、界面処理による欠陥密度の削減などの独自手法を開発し、デバイス性能の向上に取り組んでいます。一方、窒素空孔欠陥中心を利用した磁場・温度センサーの研究では、室温常圧で動作する高感度量子センサー実現を目指しており、連続波光検出磁気共鳴法による測定技術も確立しています。さらに、重窒素ドープダイヤモンド電極を用いた二酸化炭素の光化学還元など、環境応用への展開も進めています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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