Satoshi Yamasaki 研究室
主宰者：Satoshi Yamasaki
金沢大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
本研究室は、ダイヤモンド半導体の電子デバイス化に向けた材料プロセス技術と物理的特性の解明に取り組んでいます。ダイヤモンドは高い熱伝導率、キャリア移動度、広いバンドギャップを持つため、次世代の電力制御素子や高周波デバイスへの応用が期待されています。研究では、化学気相成長法によるダイヤモンド結晶成長の制御、微細加工プロセスの開発、および不純物導入による物性制御を行っており、実用的なデバイス製造に向けた基盤技術の確立を目指しています。
具体的には、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の開発に注力しており、表面の原子レベルでの平坦化、埋め込み型電極構造による接触抵抗の低減、界面特性の改善などに取り組んでいます。また窒素やホウ素、リンなどの不純物をダイヤモンドに意図的に導入し、電気特性や光特性を最適化する研究も進めています。さらに、二酸化炭素の光化学還元、量子センシング、および窒素欠陥中心を用いた量子デバイス応用など、ダイヤモンドの多様な特性を活かした基礎研究も展開しており、幅広い応用領域への展開を検討しています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（39 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsadv.2025.100898
- DOI: https://doi.org/10.1186/s12876-025-04197-z
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.carbon.2025.120649
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-025-11252-y
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.electacta.2025.146058
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0243639
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2025.113205
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- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0188372
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2024.111236
- [2024] Fabrication and characterization of diamond (100) p+-i-n+ diodes with heavily nitrogen-doped filmsDOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2024.111116
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.160568
- DOI: https://doi.org/10.1021/accountsmr.4c00123
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0138050
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.carbon.2023.118689
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.153340
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0101215
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevapplied.18.034058
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108997
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108294
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/abdf75
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