Tsubasa Matsumoto 研究室
主宰者：Tsubasa Matsumoto
金沢大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
松本研究室は、ダイヤモンドを次世代の電子デバイス材料として活用する研究に取り組んでいます。ダイヤモンドは、優れた熱伝導性、高い電子移動度、広いバンドギャップといった優れた物理的特性を持つため、高電力デバイスや高周波デバイスへの応用が期待されています。研究室では、マイクロ波プラズマを用いた化学気相成長法によるダイヤモンド膜の成長技術、および原子レベルで平坦な表面を持つダイヤモンドの製造方法の開発を行っています。
主な研究テーマは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の開発です。ダイヤモンドMOSFETを実現するには、ゲート絶縁膜とダイヤモンド界面の品質向上が必須であり、研究室はこの界面の欠陥を低減する手法を提案・実装しています。さらに、窒素やホウ素をドープしたダイヤモンド層の埋め込み構造や、トレンチ構造を備えた新しいデバイス構造の開発も進めています。
加えて、ダイヤモンド電極を用いた電気化学的なCO₂還元反応の研究も行われています。窒素をドープしたダイヤモンド表面が、可視光によって電子を放出し、水中のCO₂をCOへと変換する現象を利用しており、カーボンニュートラル社会実現に向けた応用が期待されます。これらの研究を通じて、ダイヤモンドの可能性を引き出すための材料処理技術とデバイス設計の確立を目指しています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（29 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.electacta.2025.146058
- [2025] Fabrication of inversion channel diamond MOSFET with atomically step-free Al2O3/diamond interfaceDOI: https://doi.org/10.1016/j.carbon.2025.120024
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.matlet.2024.137360
- DOI: https://doi.org/10.1021/accountsmr.4c00123
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.160568
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2024.111236
- DOI: https://doi.org/10.7759/cureus.58854
- [2024] Fabrication and characterization of diamond (100) p+-i-n+ diodes with heavily nitrogen-doped filmsDOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2024.111116
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0188372
- DOI: https://doi.org/10.1155/2024/1595717
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.carbon.2023.118689
- DOI: https://doi.org/10.4028/p-n0z51t
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.153340
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108997
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0075964
- DOI: https://doi.org/10.1557/s43578-021-00317-z
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108515
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.msea.2021.141466
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108390
- DOI: https://doi.org/10.1380/vss.64.80
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108294
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