Kimiyoshi Ichikawa 研究室
主宰者：Kimiyoshi Ichikawa
金沢大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
本研究室では、ダイヤモンドの物理的・電子的特性を活かした半導体デバイスの開発に取り組んでいます。ダイヤモンドは高い熱伝導性、広いバンドギャップ、優れた電荷移動度を持つため、次世代の高出力電子デバイスや光センサー、量子技術への応用が期待されています。しかし実際のデバイス化には、大面積で質の高い結晶の成長制御、原子レベルで平坦な表面形成、および不純物濃度の最適化など、多くの技術的課題があります。
研究室は主にマイクロ波プラズマ化学気相成長法などの気相成長技術と、ニッケルとの反応を用いた新しい加工技術を組み合わせ、これらの課題に対応しています。特に窒素を高濃度にドープしたダイヤモンド層の開発に力を注いており、電子デバイスの接触抵抗低減や電極としての性能向上を実現しています。さらに、二酸化炭素の光触媒的な還元反応への応用や、放射線検出器などの実用デバイスの開発も進めており、環境問題への対応と基礎研究を両立させた成果を生み出しています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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関連研究室(8 件)
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研究成果（23 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1117/12.3104333
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- [2025] Fabrication of inversion channel diamond MOSFET with atomically step-free Al2O3/diamond interfaceDOI: https://doi.org/10.1016/j.carbon.2025.120024
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.electacta.2025.146058
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2025.113205
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2025.113045
- DOI: https://doi.org/10.1021/accountsmr.4c00123
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.160568
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2024.111236
- [2024] Fabrication and characterization of diamond (100) p+-i-n+ diodes with heavily nitrogen-doped filmsDOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2024.111116
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.carbon.2023.118689
- DOI: https://doi.org/10.1080/00223131.2023.2190548
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2023.109789
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0096444
- [2022] Effect of surface irregularities on diamond Schottky barrier diode with threading dislocationsDOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.109188
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2022.113464
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108463
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