T. Kobayashi 研究室

主宰者：T. Kobayashi
金沢大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室では、有機半導体と鉄系超伝導体という二つの重要な物質系を対象として、電子デバイスの性能向上と機能開拓に取り組んでいます。有機半導体の研究では、太陽電池やダイオード、光検出器といったデバイスの実現を目指し、溶液プロセスにより薄膜を作製しています。特に、バルクヘテロジャンクション構造を用いた整流ダイオードやペロブスカイト系ダイオードの低動作電圧化、ならびに光照射下での耐久性向上に関する研究を進めています。並行して、デバイス劣化の機構解析も実施し、実用化に必要な課題を明らかにしています。 鉄系超伝導体の研究では、極薄膜試料における超伝導特性の発現機構を解明することを主眼としています。パルスレーザー堆積法により作製したFeSe/酸化チタン酸ストロンチウム系の超薄膜やFeSe合金膜を用いて、界面に誘起される超伝導性の詳細を調べています。具体的には、マイクロ波・テラヘルツ周波数での測定、ホール効果、非相反輸送などの多角的な実験手法により、渦糸の挙動、ギャップ構造、臨界電流密度の向上機構を研究しています。これらの知見は、高性能な超伝導デバイス開発への基礎となります。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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