Takeshi Hizawa 研究室

主宰者：Takeshi Hizawa
豊橋技術科学大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、シリコン基板上のゲルマニウム薄膜やその他の半導体微細構造を化学気相成長法により作製し、光検出器や光変調器などの光電子デバイスの開発に取り組んでいます。特に、ナノメートルからマイクロメートル規模での結晶成長制御と、それに伴う格子歪みの制御が主要なテーマです。狭幅のトレンチやストリップ構造を基板上に事前にパターン化することで、結晶欠陥を低減させながら所望の厚さの薄膜を効率的に成長させる手法を開発しています。 これらの手法により、近赤外波長帯域での高い応答性と高速応答を両立する光検出素子、および通信用光波長帯での動作が可能な光変調器・検出器の実現を目指しています。格子歪みを利用して物質の光学的性質を調整することで、従来の化合物半導体の使用を避け、シリコンとの相性の良い単体元素による素子開発が可能になります。 さらに、シリコンチップ上へのダイヤモンドナノ構造の転写印刷による集積化や、FET構造を用いたpH・溶存酸素計測センサの開発など、半導体プロセス技術を応用した様々なセンサデバイスの研究も行っています。これらは共通して、微細加工と物性制御を組み合わせることで、新しい機能を持つ集積回路デバイスの実現を目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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