Takashi Taniguchi 研究室
主宰者：Takashi Taniguchi
物質・材料研究機構
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
谷口武研究室は、原子数層の薄さの二次元材料とその積層構造（ヘテロ構造）を用いて、新しい物性と機能を引き出す研究を行っています。研究の中心は、グラフェンや遷移金属カルコゲナイド、六方晶窒化ホウ素など異なる特性を持つ二次元結晶を組み合わせ、材料同士が形作る周期的なモアレパターンによって電子の挙動を制御することです。これにより、通常は実現困難な物理現象の観測や、電子デバイスの新しい動作原理の実現を目指しています。
研究の手法として、物質の合成から物性測定、理論計算まで多角的なアプローチを展開しています。高圧条件下での化学合成、電子顕微鏡による構造観察、光学分光による励起子やフォノンの振る舞い測定、電気的特性評価、そして第一原理計算による機構解明など、多様な実験・解析手法を組み合わせています。特に、電子輸送現象や光放出の詳細を微視的に観察する技術開発にも力を入れています。
主要な発見としては、モアレポテンシャルによる電子の局在化がウィグナー結晶などの相関電子状態を安定化させること、反強磁性体の磁気状態を電界で制御して磁気抵抗を大きく変調できること、二層構造における励起子の量子コヒーレンスが層間の電子充填に強く依存することなどが挙げられます。こうした知見は、次世代の量子デバイスやメモリ、スピントロニクスデバイスの開発につながる可能性があります。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（100 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6c01905
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsnano.6c02985
- DOI: https://doi.org/10.1038/s43246-026-01303-w
- DOI: https://doi.org/10.5281/zenodo.21457670
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0334709
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- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6c02116
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6c02685
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-026-75236-w
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- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6c01260
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsnano.6c03448
- [2026] Gate-Tunable Magnetoresistance in Antiferromagnetic van der Waals FePS <sub>3</sub> TransistorsDOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6c01267
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsnano.6c05072
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-026-74848-6
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41563-026-02659-7
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41586-026-10815-x
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41586-026-10815-x
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6c01567
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsami.6c04479
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0321694
- DOI: https://doi.org/10.1103/61lp-6slp
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- DOI: https://doi.org/10.1103/n87n-h8p5
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41586-026-10636-y
- DOI: https://doi.org/10.48505/nims.6330
- DOI: https://doi.org/10.1038/s43246-026-01209-7
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41567-026-03277-5
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- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-026-74067-z
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- DOI: https://doi.org/10.1103/xm64-4qry
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.matt.2026.102878
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6c01483
- DOI: https://doi.org/10.1103/l413-8w3d
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41567-026-03280-w
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- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-026-72260-8
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-026-71479-9
- DOI: https://doi.org/10.1002/adma.202519546
- DOI: https://doi.org/10.1002/nap2.70094
- DOI: https://doi.org/10.1103/qdq1-2yk9
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41699-026-00661-w
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41377-026-02204-w
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- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c06176
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41567-025-03131-0
- DOI: https://doi.org/10.1093/nsr/nwag014
- DOI: https://doi.org/10.1103/v45r-zcvc
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41586-025-09891-2
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41563-025-02423-3
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsnanoscienceau.5c00180
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- DOI: https://doi.org/10.1103/lx4n-7bb7
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c04932
- DOI: https://doi.org/10.1088/1674-1056/ae2a04
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.5c06937
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c04751
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41586-025-09858-3
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0303408
- DOI: https://doi.org/10.1002/smtd.202501864
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c04648
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- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c04228
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsami.5c19353
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsami.5c16811
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-025-66672-1
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c03773
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- [2025] Magnetic field induced polarization enhancement in the photoluminescence of MBE-grown WSe2 layersDOI: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2025.116263
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsnano.5c14888
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-025-65342-6
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0297912
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-025-65369-9
- DOI: https://doi.org/10.1103/hv6j-vzwf
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41563-025-02416-2
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-025-65123-1
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41567-025-03071-9
- [2025] Electric field-tunable ferromagnetism in a van der Waals semiconductor up to room temperatureDOI: https://doi.org/10.1038/s41467-025-59961-2
- DOI: https://doi.org/10.1103/3d25-wpth
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-025-65196-y
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-025-24064-x
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0292130
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2025.113071
- DOI: https://doi.org/10.1103/39cj-24hk
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c04448
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- DOI: https://doi.org/10.1038/s41567-025-03080-8
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