Hirotaka Watanabe 研究室
主宰者：Hirotaka Watanabe
大阪大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
Watanabe研究室では、窒化ガリウム（GaN）を中心とした化合物半導体の物性制御と素子開発に取り組んでいます。特に、マグネシウムや炭素などの不純物添加によるドーピング手法、およびイオン注入や拡散プロセスなどの材料加工技術を用いて、GaN結晶内の欠陥や電子状態を制御する方法を研究しています。電気的特性評価、光学測定、分光分析などの複数の実験手法を組み合わせることで、材料の微視的な構造と巨視的な性能の関連性を明らかにしています。
研究の主要な成果としては、炭素ドープGaNにおける点欠陥の形成機構の解明、マグネシウム拡散によるショットキーバリア制御、および不純物フリーの偏極ドープAlGaN層の開発が挙げられます。これらの知見に基づき、低オン抵抗で高いオン・オフ比を持つダイオードやトランジスタなど、高性能なGaN電力デバイスの実現を進めています。また、レーザースライシングなどの新規加工技術や、ハライド気相成長法によるドープGaN単結晶層の製造法についても研究を展開しており、GaN素子の実用化に向けた総合的なアプローチを取っています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（85 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.202500090
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae23d6
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0297099
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- DOI: https://doi.org/10.1002/pssb.202500028
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- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.d-7-03
- DOI: https://doi.org/10.1507/endocrj.ej24-0358
- DOI: https://doi.org/10.1208/s12249-024-02959-8
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.stemcr.2023.08.002
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- DOI: https://doi.org/10.2139/ssrn.4097952
- DOI: https://doi.org/10.1007/7651_2021_407
- DOI: https://doi.org/10.2736/jjvd.27.237
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0076764
- DOI: https://doi.org/10.1007/s12020-021-02893-w
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- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.d-1-05
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.xpro.2021.100654
- DOI: https://doi.org/10.1111/jdi.13555
- DOI: https://doi.org/10.1523/eneuro.0500-20.2021
- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/abe657
- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/abe3dc
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.neulet.2021.135676
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