Takuya Saraya 研究室
主宰者：Takuya Saraya
東京大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
Saraya研究室は、次世代の電子デバイスの性能向上と信頼性確保に向けた研究を展開しています。主な研究対象は、パワーデバイス（IGBT、ダイオード）、次世代ロジックトランジスタ（酸化物半導体デバイス、シリコン量子ドット）、および超低温での動作特性です。研究アプローチとしては、デバイス設計と製造技術を統合的に最適化する手法（DTCO）、シミュレーション技術（TCAD）、そして大規模デバイスアレイを用いた統計的な特性評価を採用しています。
複数の論文から共通して報告されている主要な発見の方向性として、以下の点が挙げられます。まず、従来デバイスに新しい制御機能を付与することで、スイッチング損失の削減や効率向上を実現する可能性が示唆されています。次に、原子層成膜法により成長させた酸化物系チャネルは、高い移動度と信頼性を両立させる余地があり、3次元集積化に向けた有望な材料として位置づけられています。最後に、極低温（1.5K）における半導体デバイスの特性変動は室温と異なる機構に支配されており、これを理解することが量子コンピュータ実現に不可欠であることが強調されています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（100 件）
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae3c22
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae3d78
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2025.3649627
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2026.3702663
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- DOI: https://doi.org/10.23919/snw65111.2025.11097242
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- DOI: https://doi.org/10.23919/snw65111.2025.11097266
- DOI: https://doi.org/10.23919/snw65111.2025.11097243
- DOI: https://doi.org/10.23919/vlsitechnologyandcir65189.2025.11074932
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae0775
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- DOI: https://doi.org/10.1109/iedm50572.2025.11353571
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2025.3636114
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.m-8-04
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae248a
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- DOI: https://doi.org/10.1109/snw63608.2024.10639206
- DOI: https://doi.org/10.1109/ispsd59661.2024.10579686
- DOI: https://doi.org/10.1109/ispsd59661.2024.10579631
- DOI: https://doi.org/10.1109/icmts59902.2024.10520700
- DOI: https://doi.org/10.1109/irps48228.2024.10529363
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2024.3370534
- DOI: https://doi.org/10.1541/ieejeiss.144.245
- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2024.3365150
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- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad11b8
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.n-4-02
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2023.3298308
- DOI: https://doi.org/10.23919/vlsitechnologyandcir57934.2023.10185234
- DOI: https://doi.org/10.1109/ispsd57135.2023.10147483
- DOI: https://doi.org/10.1109/icmts55420.2023.10094106
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10103035
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10103013
- [2023] Suppressed Dynamic Avalanche and Enhanced Turn-off dV/dt Controllability in 3300V Scaled IGBTsDOI: https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10103121
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad189f
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2022.g-1-05
- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2022.3142046
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- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/acac3c
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/acac3b
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw56633.2022.9889037
- DOI: https://doi.org/10.1109/ispsd49238.2022.9813656
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- DOI: https://doi.org/10.1109/asicon52560.2021.9620202
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/abdb84
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm50988.2021.9420922
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.a-7-04
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.a-8-04
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.b-6-01
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.a-6-06
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.a-6-09
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.a-1-06
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw51795.2021.00013
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw51795.2021.00010
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw51795.2021.00006
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw51795.2021.00007
- [2021] Estimation of minimum operating voltage in fully depleted SOI SRAM cells using gamma distributionDOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac4447
- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2021.3133570
- DOI: https://doi.org/10.36463/idw.2021.0145
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac3eb7
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac3d0e
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac3a92
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac3a8c
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm50988.2021.9420934
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2021.3111145
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