Takashi Fujii 研究室

主宰者：Takashi Fujii
東京大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、光・電磁波を用いた非接触・非破壊計測技術の開発に取り組んでいます。主な研究対象は、電場分布の計測と半導体材料の電気的性質の評価です。電場計測では、レーザー光を用いて気体やプラズマ中の電場を直接測定する手法を開発しており、放電現象やコロナ放電などの複雑な電場分布を高い時空間分解能で捉えることができます。一方、半導体計測ではテラヘルツ波を利用した分光手法を確立し、素子加工を行わずにGaNやガリウム化合物などのキャリア濃度と移動度を直接測定する技術を実現しています。 電場計測技術では、特に電場誘起第2高調波発生という非線形光学現象を活用し、ナノ秒レーザーで10メートル離れた地点からの遠隔計測も実現しています。この手法は放電プラズマの診断に応用されており、従来の電極法では不可能だった非侵襲的な測定を可能にしています。半導体計測では、保護膜を除去したり電極を作製したりすることなく、多層膜試料の電気的性質を評価できるため、材料開発の効率化に貢献しています。さらに、X線や分光手法を組み合わせることで、結晶品質の評価や表面汚染の診断なども展開しており、光・電磁波計測の基礎から応用までを幅広く研究しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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