Naoki Fujiwara 研究室

主宰者：Naoki Fujiwara
京都大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、光通信やセンシング応用に向けた半導体光デバイスの開発を行っています。特に、インジウムリン（InP）系化合物半導体とシリコンを組み合わせたハイブリッド集積光回路の研究に注力しており、異なる材料を直接接合する技術を用いて、小型で高機能な光源・光変調器・光受信器などを一つのチップ上に実現しています。 研究の中心となる課題は、自由空間光通信や次世代データセンター向けの高出力で高品質な光源の実現、および高速・低消費電力の光変調・受信デバイスの開発です。そのため、二次元フォトニック結晶構造を用いた新しいレーザーの設計・製造、チップボンディングプロセスの最適化、さらには数値解析による光デバイス設計の効率化に取り組んでいます。これまでの研究により、出力数百ミリワット級の高出力レーザー、帯域幅60ギガヘルツ以上の高速変調器、マルチバンド動作可能なチューナブルレーザーなど、実用的な特性を備えたデバイスの実現に成功しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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