Naoki Shikama 研究室

主宰者：Naoki Shikama
東京大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、大きく二つの異なるテーマに取り組んでいます。 一つ目は、炭化ケイ素（SiC）を用いたパワー半導体デバイスの信頼性向上に関する研究です。SiC製のMOSFET（電力制御素子）は、体ダイオードを利用する際に「双極性劣化」と呼ばれる性能低下が生じることが課題となっています。研究室では、イオンビーム処理により素子内部のキャリア寿命を制御し、この劣化を抑制する技術の最適化に取り組んでいます。具体的には、数千個のチップを製造して電流ストレス試験を行い、処理条件と電気特性の関係を統計的に評価することで、実用的な設計指針を確立しようとしています。また、顕微分光法を用いて材料内部の欠陥挙動を詳細に観察し、劣化メカニズムの理解を深めています。 二つ目は、鉄系超伝導材料の物理特性に関する研究です。セレン化鉄系化合物の薄膜に対して、化学組成変化や外部電場、光照射などの刺激を加え、超伝導特性や電子状態がどのように変化するかを調べています。マイクロ波共振器や角度分解光電子分光といった多様な測定手法を駆使し、超伝導状態と結晶の対称性の破れ（ネマティック秩序）との関係や、光による超伝導の制御可能性を探索しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

外部リンク

関連研究室(8 件)

研究成果（15 件）

続きを表示（残り 5 件）

科研費（0 件）

まだデータがありません（KAKEN 取り込み後に表示）。

所属学会・役職（0 件）

まだデータがありません（学会データ連携後に表示）。