Ivan Kurniawan 研究室

主宰者Ivan Kurniawan
東北大学・Spintronics Research Network of Japan

AI 要約(直近 5 年の研究成果)

本研究室は、スピントロニクス関連デバイスに用いられる磁性材料および磁気輸送現象の研究を行っています。主な対象は、特に高いスピン偏極性を持つホイスラー合金などの強磁性合金や、それらを用いた磁気トンネル接合などの多層膜構造です。これらの材料がデバイスとして機能する際の電子輸送特性や磁気的性質を理解することを目指しています。 研究には、第一原理計算(量子力学に基づいた材料シミュレーション)を主軸とした理論的アプローチが採用されています。室温を含む有限温度での材料の性質を評価する計算法や、機械学習を組み合わせて有望な材料候補を探索しています。また、強磁性共鳴やレーザー光を用いた磁化ダイナミクス測定など、実験的な測定手法も並行して活用しています。 主要な知見として、原子レベルでの結晶秩序の制御や温度変化が、磁性合金の磁気抵抗やスピン分極性、磁気ダンピング(磁化の減衰)などの機能特性に大きく影響することが明らかになっています。とくに、室温での性能を考慮した材料設計が、磁気記録媒体やハードディスク読み取りヘッド、さらには柔軟スピントロニクスなど、実際のデバイス応用に向けて重要であることが指摘されています。

※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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