Takeru Wakamatsu 研究室

主宰者：Takeru Wakamatsu
京都大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、次世代の電力変換・光電子デバイスに必要とされる広バンドギャップ酸化物半導体材料の成長と特性評価を行っています。具体的には、ガリウムオキサイド（Ga₂O₃）、酸化スズ（SnO₂）、酸化ゲルマニウム（GeO₂）およびこれらの混合酸化物など、従来のシリコンよりも広い禁止帯幅を持つ材料に注目しており、これらを用いた高性能なデバイス実現を目指しています。 成長手法としては、ミスト化学気相成長法（ミストCVD）と呼ばれる気液混相を利用した簡便で安全な薄膜形成技術を主に採用しています。この方法により、サファイアやチタン酸化物などの基板上に高品質な単結晶薄膜を製造しており、良好な結晶性と高い成長速度を両立させています。 研究の主要な成果として、複数の材料系において不純物ドーピングによるキャリア密度制御、結晶欠陥（特に転位）の構造解析と削減、デバイス応用を想定したショットキー障壁ダイオードや電界効果トランジスタの試作・評価などが報告されています。これらを通じて、単に材料の基礎特性を明らかにするのみならず、実用的な電子デバイスへの応用可能性を検証する実験を進めています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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