Kouji Inagaki 研究室

主宰者：Kouji Inagaki
大阪大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

稲垣浩二研究室では、物質表面の反応メカニズムを原子・分子レベルで理解することを目指しています。半導体（シリコン、ゲルマニウム、ダイヤモンド）や金属表面での化学反応を対象に、第一原理計算と分子動力学シミュレーション、さらには機械学習を活用した計算手法により、表面反応の詳細なプロセスを解析しています。また、走査トンネル顕微鏡などの実験データと計算結果を組み合わせることで、表面現象の本質的な理解を追求しています。 研究の具体例としては、触媒反応（例えば窒素酸化物の還元やメタンの改質反応）における反応経路と速度論の解明、金属助触媒を用いた化学的選択刻食による半導体表面の構造制御、高分子材料の酸化や劣化メカニズムの解明が挙げられます。さらに、表面への分子吸着や界面現象（例えばシリコン酸化膜への水分の影響）に関する研究も行っています。これらの研究を通じて、より効率的な触媒開発や高機能な材料設計へ向けた基礎知見の構築を目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

外部リンク

関連研究室(8 件)

研究成果（28 件）

続きを表示（残り 18 件）

科研費（0 件）

まだデータがありません（KAKEN 取り込み後に表示）。

所属学会・役職（0 件）

まだデータがありません（学会データ連携後に表示）。