Tetsuya Goto 研究室

主宰者：Tetsuya Goto
東北大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

Goto研究室は、半導体デバイス製造における材料加工と計測の両面から研究を展開しています。一つの柱は、次世代電力デバイス向けの炭化ケイ素（SiC）への不純物導入技術です。エキシマレーザを用いて窒素を高濃度に導入し、金属と半導体の界面における低抵抗な電気接触の形成を目指しています。レーザパラメータの最適化や基板加熱の効果、さらには機械学習を用いた接触品質の予測など、多角的なアプローチで検討を進めています。 もう一つの主要な研究対象は、半導体製造プロセスにおけるガスの流動と濃度分布の可視化・制御です。吸収イメージング法を活用した高速カメラシステムを開発し、原子層成膜などのプロセスチェンバ内のガス濃度を時空間的に高精度で測定しています。これにより、プロセス品質を左右するガスの到達遅延や分布の詳細を捉え、プロセス改善に繋げています。 さらに、薄膜トランジスタやCMOSイメージセンサなど、様々なデバイスの製造・評価にも取り組んでいます。レーザアニーリングによる多結晶シリコンの結晶化制御や閾値電圧の均一化、高精度キャパシタンス検出センサの開発など、デバイス特性を非破壊的に評価・改善する技術を展開しており、これらを通じて半導体産業の微細化・高性能化に貢献しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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