Shih‐Nan Hsiao 研究室

主宰者：Shih‐Nan Hsiao
名古屋大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、半導体製造に不可欠なプラズマドライエッチング技術の高度化に取り組んでいます。研究の中心は、微細で複雑な立体構造を持つ次世代デバイスを製造する際に、材料を原子レベルの精密さで除去する方法の開発です。特に低温下での水素フッ化物プラズマやフッ化炭素系プラズマを用いた処理技術に注目し、異なる材料間の選択的な除去や高いスループット（処理速度）の実現を目指しています。 研究手法としては、プラズマシミュレーション、分光計測、表面分析などを組み合わせた包括的なアプローチを採用しています。プラズマ内のイオンや活性種の密度分布を理論と実験で検証し、基材表面での化学反応メカニズムを原子・分子レベルで解明しています。さらに、酸化膜や窒化膜、金属系材料、グラフェンなど多様な材料に対する処理条件の最適化を行い、各材料に適した除去プロセスの設計を実現しています。 これらの研究により、低温でのプラズマ処理が従来法では困難だった材料の高選択的除去を可能にすること、イオンと吸着分子が協働する新しい反応メカニズムが高効率な加工を生み出すことなど、プラズマ技術の基礎となる知見が得られています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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