Katsunori Makihara 研究室

主宰者：Katsunori Makihara
名古屋大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、半導体プロセス技術を駆使して、微小な粒子状構造や極薄膜を作製し、その物理特性を調べる研究を行っています。主な研究対象は、シリコンやシリコン・ゲルマニウム化合物からなるナノメートルスケールの構造体です。これらの構造は、次世代のトランジスタやセンサー、光学デバイスなど、様々な電子デバイスの基礎となる可能性があります。 技術面では、化学気相成長法やプラズマエッチングなどのドライプロセスを用いて、シリコン酸化膜上に極薄の結晶薄膜やナノドット配列を精密に形成しています。また金属とシリコンの相互拡散反応（シリサイド化）を制御することで、新規な機能材料の作製にも取り組んでいます。電子顕微鏡や分光測定などの多様な分析手法を組み合わせて、構造と機能の関係を詳細に調べています。 これまでの研究から、粒子の大きさを制御することで電子の放出特性や光の発光特性を調整できることが明らかになっています。さらに、複数層に積み重ねた構造の設計により、より効率的なデバイス動作が期待できることも示されています。こうした知見は、シリコン系光デバイスの実現や、微細化が進む次世代トランジスタの開発に貢献する可能性があります。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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