Taketomo Sato 研究室

主宰者：Taketomo Sato
北海道大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、窒化ガリウム（GaN）系半導体デバイスの高性能化を目指し、材料の表面・界面特性の制御と改善に取り組んでいます。特に、金属酸化膜とGaN基板の接触面（MOS界面）に生じる欠陥状態を定量評価し、その発生メカニズムを解明することを主要な研究課題としています。 手法としては、静電容量-電圧測定法や光電気化学エッチングなどの電気的・化学的な特性評価技術を駆使しています。特に、紫外光を用いた光電気化学エッチングは、接触電極を必要としない独自のプロセスとして複数の論文で報告されており、GaN系トランジスタの製造工程や表面処理に活用されています。また、X線光電子分光法などの組成分析も組み合わせ、多角的に界面構造を調査しています。 これらの研究を通じて、適切な熱処理やエッチング処理により、界面の欠陥密度を低減できることが示されています。こうした知見は、高周波電力デバイスやトランジスタなどの次世代通信用半導体デバイスの信頼性向上と性能向上に直結するものとなっています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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