Tamotsu Hashizume 研究室

主宰者：Tamotsu Hashizume
北海道大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、窒化ガリウム（GaN）を用いた電力用半導体デバイスの開発と特性評価に取り組んでいます。GaNは広いバンドギャップを持つワイドギャップ半導体であり、高い耐圧性と高温動作が可能な特性を活かして、電力変換や高周波デバイスへの応用が期待されています。 研究の中心は、GaNトランジスタにおける絶縁層と半導体の界面特性の制御です。デバイス性能を左右する界面状態密度を低減させるため、酸化アルミニウムや複合酸化ハフニウムなどの絶縁膜材料を検討し、原子層化学気相成長法による精密な薄膜形成と熱処理プロセスの最適化を行っています。さらに、金属-絶縁膜-半導体構造における周波数特性のシミュレーション手法開発や、放射光を用いた時間分解測定によってデバイス動作中の格子変形を評価するなど、多角的なアプローチでデバイス特性を理解しようとしています。 これらの研究を通じて、より高い性能と安定性を持つGaN電力デバイスの実現を目指しており、将来の省エネルギー電力変換システムの構築に貢献することを目標としています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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