Wataru Saito 研究室
主宰者：Wataru Saito
九州大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
本研究室は、電力変換システムで使用される半導体パワーデバイスの信頼性と性能向上に関する研究に取り組んでいます。主な研究対象は、シリコンやガリウムナイトライドなどの材料を用いたトランジスタ素子であり、これらが高温・高電圧の過酷な環境で動作する際にどのように劣化するかを調べています。具体的には、素子に過電圧ストレスを繰り返し加えたときの動作特性の変化、熱処理プロセス中に生じる結晶欠陥の伝播、および長期運用による疲労破壊のメカニズムを実験と数値シミュレーションで解析しています。
手法として、電気特性測定、顕微鏡観察、ラマン分光法などによる実験的評価と、TCAD（半導体デバイスシミュレーション）やメカニカル応力解析を組み合わせています。さらに、機械学習を用いて素子の劣化状態を電気信号から自動判定する手法も開発しており、製造プロセスの最適化と素子の品質管理に貢献しています。300mm大口径ウェハーを用いた製造プロセスの導入に伴う課題、すなわちウェハー反り・応力制御や低熱負荷化についても重点的に研究しており、カーボンニュートラル社会への転換に向けた省エネルギー電力デバイスの実現を目指しています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（78 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.109977
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- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm61175.2025.11041348
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2023.115119
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- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10103031
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- DOI: https://doi.org/10.1109/ispsd49238.2022.9813669
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- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2021.3079396
- DOI: https://doi.org/10.14243/jsaem.29.45
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.d-2-01
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114237
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac40aa
- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2021.3129162
- DOI: https://doi.org/10.23919/ispsd50666.2021.9452240
- DOI: https://doi.org/10.1109/led.2021.3075657
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114270
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/abebc1
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/abe801
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