Hironori Okumura 研究室

主宰者：Hironori Okumura
筑波大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、次世代の電子デバイスやオプトエレクトロニクス応用に向けた広帯域ギャップ半導体材料の開発と評価に取り組んでいます。具体的には、ガリウムオキサイド、窒化アルミニウム、アルミナ、ダイヤモンドなどの材料について、薄膜成長技術の最適化と物性評価を行っています。分子線エピタキシーや化学気相成長といった精密な成膜手法を用いて、高品質な単結晶層やヘテロ構造を製作し、結晶性や電気的特性を詳細に調査しています。 デバイス設計・製造の観点からは、これらの材料を用いたショットキーバリアダイオードやpn接合ダイオード、電界効果トランジスタなどの構造を実現し、室温から超高温環境下での動作特性を測定しています。特に、界面トラップ状態が素子性能に及ぼす影響の評価や、イオン照射による放射線損傷と熱処理による損傷回復のメカニズム解明に注力しています。 さらに、ドーピングやイオン注入によって材料の電気伝導性を制御し、電極との接触特性を改善する手法の開発も進めています。これらの基礎研究成果は、極限環境での動作が求められるパワーエレクトロニクス、高温エレクトロニクス、放射線検出器といった実用的なデバイス応用へ向けた基盤となります。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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