Hiroshi Katayama‐Yoshida 研究室

主宰者：Hiroshi Katayama‐Yoshida
慶應義塾大学・Spintronics Research Network of Japan

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室では、磁性を持つ半導体や酸化物材料の物理的・電気的特性を制御し、次世代の磁気スピントロニクス応用に向けた新機能の開発に取り組んでいます。特に、遷移金属酸化物への希土類元素の置換や、半導体への磁性元素のドーピングを通じて、材料の磁化強度やキュリー温度（磁性が失われる温度）を精密に調整する手法を展開しています。これらの手法には、第一原理計算による理論的な設計が組み合わされており、材料の電子構造や磁気相互作用を原子レベルで解明することが特徴です。 一方、磁場に応答して抵抗が変化する現象（磁気抵抗効果）に着目し、メモリスタ（入力の履歴に応じて抵抗が変わる素子）と磁場の相互作用を利用した巨大な記憶機能の実現に成功しています。さらに、酸化物における陰イオン欠陥が示すスピン三重項状態に基づく強磁性を活用して、抵抗スイッチング素子に磁気応答性を付与する研究も進めています。これらの成果により、高密度メモリや神経模擬計算システム、医療応用など、多岐にわたる分野での新しいデバイス開発が期待されます。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

外部リンク

関連研究室(8 件)

研究成果（10 件）

科研費（0 件）

まだデータがありません（KAKEN 取り込み後に表示）。

所属学会・役職（0 件）

まだデータがありません（学会データ連携後に表示）。