Atsushi Hiraiwa 研究室
主宰者：Atsushi Hiraiwa
早稲田大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
本研究室は、ダイヤモンドおよびガリウム化合物（GaN、Ga₂O₃）などの広禁制帯幅半導体を用いた電子デバイスの開発に取り組んでいます。特にダイヤモンドのp型トランジスタ（MOSFET）の実現を目指しており、水素終端や酸化シリコン終端されたダイヤモンド表面を利用して、正孔の輸送特性を向上させる研究を進めています。高電流動作、低いオン抵抗、高いブレークダウン電圧を備えたダイヤモンドデバイスの実現に向け、トレンチゲート構造や重ボロン添加層などの設計・製造技術を開発しています。
デバイスの電気特性の向上には、ゲート絶縁膜（Al₂O₃など）の成膜方法や結晶品質が重要な役割を担います。本研究室では、原子層成膜法による薄膜の形成温度や後処理アニールが界面特性に与える影響を詳細に調査しています。また、深いドーパント準位を有するダイヤモンドの特性を正確に評価するための容量-電圧特性測定法の確立も行っており、従来のシリコンデバイスの手法では対応できない課題に取り組んでいます。
これらの研究成果は、次世代の高効率・高耐圧パワーエレクトロニクスデバイスや、シリコンカーバイド・窒化ガリウムと組み合わせた相補型集積回路の実現に貢献することが期待されています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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