Keisuke Yamamoto 研究室
主宰者:Keisuke Yamamoto
熊本大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
Keisuke Yamamoto研究室の研究は、次世代の電子・光・スピントロニクスデバイスの実現に向けた、半導体材料・プロセス・デバイスの開発に取り組んでいます。特にゲルマニウム(Ge)及びゲルマニウム錫(GeSn)などの新規半導体材料に焦点を当て、低温プロセスで高性能な薄膜トランジスタやMOS素子を製造する技術を開発しています。固相結晶化法やプラズマプロセスなど革新的な成長・加工手法により、従来製品を上回る電子移動度を有する高品質膜の形成と、室温で動作するデバイスの実現を目指しています。
また同時に、ゲルマニウム基板上へのスピン注入・輸送・検出の実現に関する研究も進めており、常温での半導体スピントロニクスデバイスの可能性を探索しています。これらの研究は、既存の微細加工技術とも両立可能な形での新材料・新構造の設計に特徴があり、将来の集積回路やセンサ技術への応用を視野に置いています。同時にスーパーコンダクティングマグレフの無線電力伝送システムなど、実用的なインフラ技術の電気特性解析にも携わるなど、基礎研究から応用研究まで広範な領域で活動しています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果(57 件)
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2026.110602
- DOI: https://doi.org/10.1541/ieejias.145.652
- DOI: https://doi.org/10.23919/iwjt66253.2025.11072886
- DOI: https://doi.org/10.1002/aelm.202570025
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevapplied.23.l051005
- DOI: https://doi.org/10.1149/2162-8777/ada79f
- DOI: https://doi.org/10.1541/ieejjia.25002143
- DOI: https://doi.org/10.1541/ieejias.145.72
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.109372
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- DOI: https://doi.org/10.1109/apec48143.2025.10977361
- DOI: https://doi.org/10.1002/aelm.202400901
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2025-02361745mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2025-02361744mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2025-02361730mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.1109/iecon58223.2025.11221367
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.k-7-05
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.k-6-02
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.ps-01-02
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.a-4-04
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.m-1-05
- DOI: https://doi.org/10.1541/ieejjia.23007450
- DOI: https://doi.org/10.36463/idw.2024.1345
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- DOI: https://doi.org/10.6009/jjrt.2024-1382
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.e-7-04
- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2023.3323776
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107504
- DOI: https://doi.org/10.23919/vlsitechnologyandcir57934.2023.10185426
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107763
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.m-4-04
- DOI: https://doi.org/10.1541/ieejias.144.23
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2023-02301522mtgabs
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- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad13a1
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- DOI: https://doi.org/10.1007/s00170-022-10245-9
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- DOI: https://doi.org/10.1109/icpadm49635.2021.9493949
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.j-4-08
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.a-7-07
- DOI: https://doi.org/10.1149/10204.0063ecst
- DOI: https://doi.org/10.1109/led.2021.3119014
- DOI: https://doi.org/10.1149/10404.0157ecst
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