Kosuke Nagashio 研究室

主宰者：Kosuke Nagashio
東京大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、二次元半導体材料の電子物性と機能制御に関する研究を展開しています。主な対象はモリブデン二硫化物などの遷移金属カルコゲナイド（TMDC）およびスズ硫化物などの新奇二次元物質です。これらの材料における不純物導入による電子状態の制御、界面特性の改善、および新しい光学現象の開拓を目指しています。特に、層状物質の厚さや組成に応じた電子特性の変化、界面でのキャリア注入メカニズム、表面修飾による物性変調などを解明することで、次世代の低消費電力電子デバイスへの応用を目指しています。 実験手法としては、化学気相成長やイオン注入などによる材料合成、分析用透過型電子顕微鏡やスペクトロスコピーを用いた原子・電子構造の観察、電気的特性測定によるキャリア輸送の評価などを組み合わせています。また、異なる次元の材料を組み合わせたヘテロ構造を作製し、界面で生じる励子生成・移動などの光学現象を室温で実現する研究も進めています。 得られた知見としては、表面吸着種や結晶欠陥が意図しないドーピングを引き起こすこと、材料の厚さが臨界ドーピング濃度に大きく影響すること、そして適切な表面処理や電極設計により高性能なデバイス動作が可能になることが報告されています。これらの研究を通じて、原子的スケールでの物質制御と新機能創出の実現を目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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