Tomonori Nishimura 研究室

主宰者：Tomonori Nishimura
東京大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

西村研究室は、二次元材料と関連する電子デバイスの開発を中心に研究を展開しています。特に遷移金属ダイカルコゲナイド（硫化モリブデンなど）やその他の層状物質を対象に、結晶成長から電子特性の制御まで、幅広いテーマに取り組んでいます。金属有機気相成長法などの成長技術を用いて単結晶薄膜を作製し、高分解能電子顕微鏡や分光測定によって原子レベルの構造を明らかにすることで、材料の性質を理解・制御しています。 デバイス応用の観点からは、トランジスタやメモリデバイスの性能向上に必要な課題に取り組んでいます。具体的には、金属と二次元材料の接触特性の改善、ゲート絶縁膜とチャネルの界面制御、不純物ドーピングによる電子特性の調整などが挙げられます。これらは接触抵抗の低減、ON/OFF比の改善、動作電圧の低減といった実用的な目標に結びついています。さらに、ベースメタルの選択や表面処理方法の工夫により、p型デバイスの実現やフェルミ準位固定の緩和など、従来の半導体では困難な課題を解決する手法も開発しています。 加えて、強誘電性を示す二次元材料やバルク光電効果を利用した光電変換デバイスなど、新しい機能を持つ材料の探索と応用も進めており、シリコンに代わる次世代電子デバイスの実現に向けた基礎的・応用的な研究を推進しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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