Jun Suda 研究室

主宰者：Jun Suda
名古屋大学・Nagoya University Hospital

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

Suda研究室は、次世代パワーデバイスの材料として注目されている窒化ガリウム（GaN）およびガリウム酸化物系半導体の物性制御と素子化に関する研究を展開しています。特に、イオン注入と高温・高圧焼成プロセスを組み合わせた選択的ドーピング技術を活用し、GaN内に導入されるトラップ・欠陥の生成機構を解明することで、デバイス性能の向上を目指しています。GaN中の電子・正孔の捕捉・放出特性や深いエネルギー準位の欠陥を詳細に評価し、プロセスパラメータとの関連性を調べることで、より高品質で安定動作するデバイスの実現に取り組んでいます。 結晶成長から素子設計・評価まで、幅広いアプローチを採用しており、有機金属気相成長法（MOVPE）やミスト化学気相成長法などの薄膜形成技術を用いた高純度材料の製造、および構造解析や電気特性測定による多角的な材料評価を実施しています。さらに、HEMTやショットキーダイオード、MOSFET、整流素子など様々なデバイス構造を試作し、シミュレーション解析と組み合わせることで、構造パラメータが性能に及ぼす影響を明らかにしています。これらの研究を通じ、高周波・高出力応用に適した窒化物半導体デバイスの開発に貢献することを目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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