Rai Moriya 研究室
主宰者:Rai Moriya
東京大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、二次元材料を積層した構造を利用して、電子の量子的な振る舞いを制御し、新しい電子デバイスの開発を目指しています。研究対象は、グラフェンやタングステンセレン化物などの薄い二次元結晶材料と、絶縁体として機能する窒化ホウ素などを組み合わせた積層構造です。これらの材料は原子レベルで正確に積み重ねることができるため、従来の半導体デバイスでは実現困難な量子構造の設計が可能になります。
研究の手法として、垂直方向にトンネリング(電子が障壁を通り抜ける現象)する特性を利用した測定と、磁場下での光応答測定を組み合わせています。特に磁場を加えた時に生じるランダウ準位間の光吸収(サイクロトロン共鳴)を活用することで、電子のエネルギー状態を詳細に調べています。また、二次元材料の回転角度を制御することで、電子状態がどのように変化するかを調査しています。
主要な発見として、複数の研究から、少数層の遷移金属カルコゲン化物が量子井戸状態を持つこと、そしてこれを利用して従来の半導体デバイスに匹敵する性能の共鳴トンネリングデバイスが実現できることが示されています。さらに、磁場と赤外光を組み合わせることで、従来よりも高い効率での光電変換が可能となることも報告されています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果(24 件)
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0297912
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsnano.5c10489
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0284075
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c03517
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c17317
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0242170
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0213435
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsami.4c05972
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c03847
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c09569
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- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad85b8
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c03289
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevresearch.6.033011
- DOI: https://doi.org/10.1039/d4nr01863j
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevresearch.5.043292
- [2022] All-dry flip-over stacking of van der Waals junctions of 2D materials using polyvinyl chlorideDOI: https://doi.org/10.1038/s41598-022-26193-z
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41699-022-00323-7
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.2c00396
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0084996
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0080215
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0074371
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevb.104.245137
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.1c00555
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