Xueyang Han 研究室

主宰者：Xueyang Han
東京大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

この研究室は、次世代の半導体トランジスタの高性能化に向けた物質・デバイス工学に取り組んでいます。特に、チップの微細化に伴って電子の動きやすさ（移動度）が低下する問題に対して、どの材料や結晶面の方向を選ぶべきか、また表面の粗さに由来する散乱をいかに抑制するかを探究しています。ゲルマニウムやシリコン、インジウムヒ化物などの材料を用いた極薄チャネル構造の設計・製造・評価を実験と理論の両面から行い、数ナノメートルという極めて薄い領域でも高い電子移動度を保つ技術を開発しています。 その過程では、材料の特性評価技術の改善にも力を入れており、従来の測定手法の精度向上や低温での動作確認など、基礎的な計測方法論も進めています。さらに、強誘電体材料を用いたメモリデバイスの疲労現象の回復メカニズムの解明や、新規な触媒材料の設計なども手がけており、幅広い材料・デバイス技術領域で実践的な研究成果を積み重ねています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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