Mizuki Tani 研究室

主宰者：Mizuki Tani
東京大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、超短パルスレーザーが固体材料に与える影響を、電子の動きという観点から解明する研究を行っています。特に、フェムト秒（100万分の1秒）という極めて短い時間スケールにおいて、光が物質内の電子にどのように作用し、エネルギーを与えるのかを調べています。シリコンなどの半導体に紫外光と赤外光を同時に照射する場合、単一波長の照射よりも効率的にエネルギーが吸収されることを理論計算により明らかにしており、この知見は精密加工技術への応用を目指しています。 解析手法としては、時間依存密度汎関数理論などの量子計算と、古典的な半古典シミュレーション手法を組み合わせています。これらは、レーザー照射直後の複雑な電子ダイナミクスを追跡する際に、第一原理計算の正確さと計算効率のバランスを実現します。また、金属内の電子の振舞いを記述する数値解析法も開発しており、光が材料構造や電子状態を時間とともにどのように変化させるのかをシミュレーションしています。 さらに、二次元物質の valley 制御や、X線と可視光の組み合わせによる新しい加工手法、そして電子密度変化を仮想空間で可視化するツールの開発など、多角的なアプローチで光と物質の相互作用を研究しています。これらの成果は、より高精度で高効率な微細加工技術や新機能材料の開発につながると期待されます。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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