Takuya Maeda 研究室

主宰者：Takuya Maeda
東京大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、窒化物半導体とその関連材料の成長・物性評価に取り組んでいます。特に、スカンジウムを含むスカンジウムアルミニウム窒化物（ScAlN）に注目し、分子線エピタキシーやスパッタ成長などの薄膜形成技術を用いて高品質な結晶を作製しています。これらの材料は大きな分極性と誘電率を持つため、次世代のパワーデバイスや高周波デバイスへの応用が期待されています。 作製した薄膜の構造・光学的性質を詳しく調べることも重要な研究課題です。X線回折や電子顕微鏡、ラマン分光などの評価手法を組み合わせて、原子レベルでの界面構造や結晶性、応力分布を明らかにしています。さらに、ホール効果測定などの電気的特性評価を通じて、キャリア濃度や移動度といった電子輸送特性を調査し、材料の成長条件との関連性を解明しています。 これらの基礎的な理解に基づいて、ScAlN/GaN高電子移動度トランジスタなどの実デバイスの試作と評価にも進んでいます。加えて、アルミニウム窒化物やガリウム酸化物といった超広帯域ギャップ半導体のショットキーダイオードなども研究対象とし、幅広い窒化物系電子デバイスの開発を指向しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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