Keita Tachiki 研究室

主宰者：Keita Tachiki
京都大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、次世代の電力変換デバイスに用いられる炭化ケイ素（SiC）半導体の性能向上に取り組んでいます。特にMOSFETと呼ばれるトランジスタの電子移動度（電子が材料内を移動しやすさ）の改善を中心課題としており、従来型の酸化プロセスを最小化する手法を提案し、実装に成功しています。 研究の主な対象は、SiCが持つ異方性、つまり結晶方向によって物性が大きく異なる特性です。研究室では、SiC表面における酸化膜と半導体の界面における電子の振る舞いを、実験と計算シミュレーションの両面から詳細に調べています。界面欠陥の密度を低減し、電子を散乱させるクーロン相互作用を弱めることで、数倍の移動度向上を達成しました。 さらに、デバイスの小型化に伴う短チャネル効果や、異なる結晶面上での特性の違い、高温動作時の信頼性など、実用化に必要な多角的な課題に対して、系統的な実験と物理モデルに基づくアプローチで対応しています。これらの研究成果は、電力効率の高い次世代電力デバイスの実現に向けた基盤技術となっています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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