Kanako Shojiki 研究室

主宰者：Kanako Shojiki
京都大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、窒化アルミニウム（AlN）や窒化インジウムガリウム（InGaN）といった化合物半導体の結晶成長と光学特性の研究を行っています。特に、スパッタリング法と高温加熱処理を組み合わせた新しい製造技術により、結晶欠陥の少ないAlNの薄膜を作製し、これを基盤として高品質な半導体構造を構築することに取り組んでいます。 研究の主な焦点は、深紫外線（DUV）領域で発光する光デバイスの開発です。AlNやAlGaNを用いた紫外線LED、レーザーダイオード、および非線形光学素子の製造に向けて、材料の結晶品質向上と表面形態制御を進めています。また、InGaNを用いた赤色LEDの研究では、量子井戸構造の微視的な光学特性を調べ、発光効率を左右する欠陥や不純物の役割を明らかにしています。 さらに、構造制御の研究として、AlNの極性（Al極性とN極性）を意図的に反転させた多層膜構造の作製や、基板の結晶方位を活用した発光色の制御など、ナノスケールでの精密な材料設計を行っています。こうした取り組みを通じて、紫外線応用デバイスの実用化に必要な半導体基板・構造の開発を進めています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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