M. Dhamrin 研究室
主宰者:M. Dhamrin
大阪大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、太陽電池の高効率化と製造の低コスト化を目指して、スクリーン印刷法による金属接触形成とシリコン・ゲルマニウム複合膜の形成に取り組んでいます。特に次世代の高効率太陽電池として期待されるペロブスカイト・シリコン積層型太陽電池やIII-V族・シリコン積層型太陽電池の実現に向け、材料設計と製造プロセスの開発を進めています。
金属接触形成の研究では、従来広く使用されている銀の消費量を削減することを重要な課題としています。アルミニウムやアルミニウム・シリコン合金ペーストを用いて、真空を必要としない低コストの印刷・焼成プロセスで、シリコン太陽電池の両面に選択的な電気接触を形成する技術を開発しています。さらに、長期的な環境ストレス下での劣化現象も調査し、より耐久性の高い設計を目指しています。
シリコン・ゲルマニウム膜の形成では、アルミニウム・ゲルマニウムペーストをシリコン基板に印刷して加熱するプロセスを用いて、結晶性の高い膜を製造する方法を確立しています。ゲルマニウムの含有量や冷却速度、焼成条件などを精密に制御することで、異なるバンドギャップを持つ材料を積層するための中間層として機能する膜質の最適化に取り組んでいます。これらの研究を通じて、太陽電池の大規模製造に向けたプロセス技術の確立を目指しています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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関連研究室(8 件)
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研究成果(25 件)
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- [2025] Potential-induced degradation of crystalline silicon photovoltaic modules with polycarbonate coverDOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae0342
- DOI: https://doi.org/10.1109/pvsc59419.2025.11132409
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2025.113559
- [2025] SiGe epitaxial growth using screen printing of Al–Ge paste on Si followed by pulsed laser annealingDOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/adaba3
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2025.113413
- DOI: https://doi.org/10.1109/jphotov.2024.3483260
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- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.f-6-03
- DOI: https://doi.org/10.1002/solr.202400478
- [2024] Al–Ge-paste-induced liquid phase epitaxy of Si-rich SiGe(111) for epitaxial Co-based Heusler alloysDOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108232
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112646
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/acd19c
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2023.127639
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0140928
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2022.112089
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-022-19122-7
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2022-01291281mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.1149/10805.0071ecst
- [2022] Fine line screen-printing aluminum for front side p+ metallization of high efficiency solar cellsDOI: https://doi.org/10.1063/5.0089217
- [2021] High Ge-Content SiGe Films Epitaxially Grown by Annealing Al-Ge Alloyed Pastes on Si SubstrateDOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.k-6-08
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2021.124833
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