M. Murugesan 研究室
主宰者：M. Murugesan
東北大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
本研究室は、次世代半導体パッケージングにおいて、微細な銅接合部を形成する技術に取り組んでいます。具体的には、チップとウェハを直接接合させる「ハイブリッドボンディング」という接合方法に注目し、銅－酸化ケイ素層間の接合品質を向上させることを目指しています。この技術は、情報処理速度と集積度の向上に不可欠な3次元積層集積回路の実現に直結する重要な課題です。
接合品質の向上に向けて、複数のアプローチを並行して推進しています。銅メッキの化学組成を最適化して大きな結晶粒を形成する方法、プラズマを用いた表面活性化技術、高圧加熱処理による接合後の改質、および銅酸化膜の制御が主な研究の柱です。同時に、接合部に発生する空隙やはく離などの欠陥を検出・評価するために、放射光を利用した分析手法やポジトロン消滅分光法といった先端的な計測技術も開発しており、微視的レベルでの現象解明を進めています。
これらの研究を通じて、接合部の電気抵抗低減、歩留まり向上、および微細ピッチ化を実現しています。さらに、スルーシリコンビアなど他の微細配線技術との統合や、柔軟な電子部品への応用など、応用範囲を広げる取り組みも展開しており、最先端の半導体製造技術の実用化を支えています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（27 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1021/acsaelm.5c01992
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- DOI: https://doi.org/10.1109/ectc51529.2024.00217
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- DOI: https://doi.org/10.1109/ectc51529.2024.00348
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2024-02231956mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.1109/3dic63395.2024.10830031
- DOI: https://doi.org/10.1109/3dic63395.2024.10830207
- DOI: https://doi.org/10.1109/3dic57175.2023.10154930
- DOI: https://doi.org/10.23919/icep58572.2023.10129755
- DOI: https://doi.org/10.1109/3dic57175.2023.10154924
- DOI: https://doi.org/10.1109/ectc51909.2023.00292
- DOI: https://doi.org/10.1109/ectc51906.2022.00059
- DOI: https://doi.org/10.1109/ectc51906.2022.00115
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