Shogo Hatayama 研究室

主宰者：Shogo Hatayama
東北大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、半導体や光デバイス、メモリ素子の開発に向けて、薄膜材料の物性制御と機能化に取り組んでいます。特に、遷移金属チャルコゲナイド（金属とテルル・セレン・硫黄の化合物）やニトリド系材料など、従来の材料とは異なる新規薄膜材料の合成と評価に注力しています。スパッタリングなどの業界標準的な成膜技術を用いて大面積製造を実現しながら、熱処理などの工程を最適化することで、材料の結晶構造や電子状態を自在に制御する方法を開発しています。 これらの材料の重要な特性の一つが、非揮発性メモリやフォトニクス素子への応用です。例えば、温度変化に応じて結晶構造が変わり、電気抵抗が大きく変化する「相変化材料」の探索・改善を進めており、従来のゲルマニウム・アンチモン・テルル化合物よりも低エネルギーで動作する新しい材料を見出しています。また、二次元材料と層状化合物の界面に着目し、接触抵抗を低減する「ファンデルワールス接触」の形成メカニズムを解明し、高性能なトランジスタ実現を目指しています。 さらに、X線光電子分光法や透過電子顕微鏡などの先端的な測定手法を駆使して、材料の内部構造と電子状態の関係を詳細に調べることで、デバイス設計の指針となる物理的な洞察を得ています。このように、基礎的な物性研究とデバイス応用の両面から、次世代エレクトロニクスを支える材料開発に貢献しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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