Tsung‐Tse Lin 研究室

主宰者：Tsung‐Tse Lin
東北大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、テラヘルツ波（電波と赤外線の中間の周波数帯）を用いた光・電子デバイスの開発と、それを支える微細半導体構造の物理的性質の解明に取り組んでいます。特に、テラヘルツ量子カスケードレーザーと呼ばれる発光素子や、テラヘルツ波を検出するセンサーの設計・製造を進めており、光通信や無線通信への応用を目指しています。 テラヘルツデバイスの性能向上に向けて、研究室は複数のアプローチを展開しています。一つは分子線エピタキシーという精密な薄膜成長技術を用い、窒化物系やヒ化物系の半導体を原子層単位で積層した構造を作製することです。同時に、理論計算によってこれらの構造内での電子の振る舞いを予測し、設計を最適化しています。もう一つは、グラフェンや二セレン化ビスマスといった特殊な二次元材料を活用し、テラヘルツ波の高速かつ高感度な検出デバイスを実現させることです。 これらの研究を通じて、微細な界面構造や不純物ドーピングがデバイス性能に与える影響を明らかにし、実用的で高性能なテラヘルツ技術の実現に貢献しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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