Kohei Yamasue 研究室
主宰者:Kohei Yamasue
東北大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、走査型非線形誘電率顕微鏡という高周波マイクロ波を用いた微細な観察技術を中心に、半導体材料や薄膜素子の電気的特性を解明する研究を行っています。特に、異なる物質が接する界面の性質を原子スケールで詳しく調べることに力を入れており、シリコン系デバイスから新しい二次元材料に至るまで、様々な材料を対象としています。
研究の問いは、材料表面や界面にどのような電荷が分布し、欠陥がどこに存在するのか、またそれらが電子の移動にどう影響するのかを明らかにすることです。走査型非線形誘電率顕微鏡の他に、計算機シミュレーションを組み合わせることで、実験結果の解釈をより深めています。さらに、この技術の測定精度向上のための工夫(例えば、先端部への絶縁層の付加やレーザー加熱の応用)も並行して進めています。
これまでの成果から、界面の電荷分布や欠陥の有無が材料の性能を大きく左右すること、そして従来の測定法では捉えられない複雑な電位変動が実際に存在することが明らかになっています。本研究室の技術は最新のメモリデバイスや電力素子の開発にも応用される実用的な意義を持っています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果(15 件)
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- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0268493
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0284899
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-025-91645-1
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10103002
- DOI: https://doi.org/10.3390/nano12050794
- DOI: https://doi.org/10.4028/p-2t7zak
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114588
- DOI: https://doi.org/10.4028/p-n0z51t
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm53872.2022.9798093
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- [2022] Carrier profile mapping in a 3D Flash memory cell using scanning nonlinear dielectric microscopyDOI: https://doi.org/10.1109/edtm53872.2022.9798385
- DOI: https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2021p0441
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114284
- [2021] Nanoscale capacitance-voltage profiling of DC bias induced stress on a high-κ/SiO2/Si gate stackDOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114278
- DOI: https://doi.org/10.1109/ipfa53173.2021.9617348
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