Takezo Mawaki 研究室

主宰者：Takezo Mawaki
東北大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

Takezo Mawaki研究室は、半導体デバイスの電気的特性を高精度で測定・評価する技術開発を進めています。研究の中心は、シリコン基板上に形成された多数のデバイスを同時に測定できるチップ上の測定回路の開発です。特に、容量値や漏れ電流といった微小な電気的パラメータを、数千から数万個のデバイスについて統計的に測定する技術を確立しており、相対標準偏差が0.2%以下という極めて高い精度を実現しています。このアプローチにより、デバイス間のばらつきを定量的に把握することが可能になります。 さらに、この測定技術を応用したCMOSイメージセンサの開発も進められています。研究室では、画像内の容量値の空間分布を超高速で検出するセンサや、毎秒数千フレームの超高速撮影を実現するグローバルシャッタセンサなど、先進的なセンサチップを設計・製造しています。これらのセンサは、検出精度の向上と同時に、データ転送レートの削減や動的範囲の拡大といった課題に対応しています。 加えて、半導体製造プロセスにおける汚染制御の研究も展開しており、超微量の金属不純物がシリコンやシリコン酸化膜の表面にどのように付着・吸着するかを調査しています。これらの基礎的な知見は、デバイスの信頼性と歩留まり向上に貢献します。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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