Mitsuo Sakashita 研究室

主宰者：Mitsuo Sakashita
名古屋大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、シリコンベースの次世代デバイス応用を目指し、ゲルマニウムとスズを含む化合物半導体材料の開発に取り組んでいます。特に、ゲルマニウム・スズ合金やシリコン・ゲルマニウム・スズ三元合金といった材料系について、薄膜成長技術と物性評価を行っています。分子線エピタキシーやスパッタリングなどの成膜手法を用い、シリコン基板上への高品質な結晶層の形成方法を研究しており、結晶構造や電気的・光学的特性を詳細に調べています。 研究の主な狙いは、これらの材料が持つ特有の物性を活かすことです。スズ含有量を適切に制御することで、直接遷移型の半導体特性を実現でき、赤外光検出や発光素子、テラヘルツ帯の高速デバイスなどへの応用が期待されます。また、ゲルマニウムの高いキャリア移動度を利用した次世代CMOS技術への適用も検討されています。さらに、共鳴トンネルダイオードなどの量子効果デバイスの構築や、太陽電池への応用も進めており、バンドギャップエンジニアリングを通じた多機能デバイスの実現を目指しています。 このような材料開発と並行して、表面パッシベーション技術や接合部の物性改善といったプロセス技術の最適化にも注力しており、デバイス化に向けた包括的な研究を展開しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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