K. Sakuno 研究室

主宰者：K. Sakuno
名古屋大学・Nagoya University Hospital

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、マイクロ波・ミリ波帯域の高周波増幅器と電力変換回路の設計・開発に取り組んでいます。特に窒化ガリウム（GaN）を用いた高電子移動度トランジスタ（HEMT）を中心対象として、これらデバイスの周波数特性と利得の向上を実現する新しい設計手法の開発を進めています。 研究の主要な特徴は、デバイスの内部構造に着目した革新的なアプローチにあります。具体的には、トランジスタの電極を伝送線路として捉え直し、その先端の終端条件を意図的に変更することで、従来の設計理論では改善できない領域でも利得や最大発振周波数を大幅に向上させる手法を開発しています。この技術により、80ギガヘルツ以上の高周波帯域で6デシベル以上の利得を持つ増幅器の実現に成功しています。 並行して、マイクロ波帯の電力変換回路にも取り組んでおり、ショットキーバリアダイオードを用いた整流器の効率向上に関する研究を展開しています。寄生容量の影響を抑制する回路設計により、ワイヤレス給電などの応用を見据えた高効率な電力変換の実現を目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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