Kenta Chokawa 研究室

主宰者：Kenta Chokawa
名古屋大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、半導体・絶縁体などの材料の原子レベルの構造と電子的性質の関係を明らかにすることを中心課題としています。特に、異なる材料同士の接合面（界面）がどのような原子配置をしているか、その構造がどのように形成されるかを詳細に解明し、電子デバイスの性能向上につながる知見を得ることを目指しています。 研究のアプローチとしては、第一原理計算（密度汎関数理論に基づいた計算）と分子動力学シミュレーションを主要な手法として採用しており、材料内の原子配置を原子スケールで予測・検証しています。同時に透過型電子顕微鏡などの観察技術と組み合わせることで、理論計算と実験を統合した研究を進めています。 具体的には、窒化ガリウムやシリコンカーバイド、酸化物などの化合物半導体における格子不整合界面の構造、触媒反応面での原子吸着挙動、不純物原子の凝集メカニズム、さらにはメモリデバイスや発電素子に用いられる材料における電荷保持機構など、多岐にわたる現象を対象としています。これらの研究を通じて、次世代電子デバイスの高性能化・高信頼性化に資する材料科学的知見を提供しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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