Tadashi Fukuda 研究室

主宰者：Tadashi Fukuda
東京工業大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室では、半導体の３次元積層構造を実現するための材料・プロセス・信頼性に関する研究を行っています。特に、複数の半導体ウェハやチップを垂直に重ねる「３次元集積技術」において、異なる製造メーカーの部材を組み合わせ、バンプ（はんだの突起）を使わない接合方法の開発を中心としています。これにより、より薄く、より高密度な電子デバイスの製造が可能になります。 技術的には、接着性樹脂材料の開発と室温接合プロセスの最適化に取り組んでいます。超薄型化されたシリコンウェハ（厚さ３～５マイクロメートル）の製造と信頼性評価、接合時に発生する空気の閉じ込め問題の物理的メカニズムの解明、ならびに積層構造の変形挙動の予測が主要な研究課題です。さらに、分光分析やシミュレーション手法を用いて、接合界面の品質や残留応力を非破壊で評価する手法も開発しています。 これらの研究成果を通じて、次世代の高性能メモリやプロセッサなど、現在のスマートフォンやコンピュータに搭載される電子部品の小型化・高速化・省電力化を実現する基盤技術の構築を目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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