M. Miura–Mattausch 研究室

主宰者：M. Miura–Mattausch
広島大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室の主な活動は、半導体デバイスの電気的動作を数学的に記述する「コンパクトモデリング」という手法の開発と応用にあります。特に、高電圧領域で動作する金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を対象とし、デバイス内部の電位分布を基本変数として用いた階層的なモデル化アプローチを展開しています。このモデル化枠組みにより、デバイス内での電荷の蓄積現象や、放射線環境下での粒子衝突による影響といった複雑な物理現象を、回路シミュレーション段階で精密に予測することが可能になります。 特に注力されているのは、高電圧・高周波で動作するパワーデバイスの解析と最適化です。超接合型MOSFET、SOI構造デバイス、炭化ケイ素を用いた次世代デバイスなど、様々な構造・材料のデバイスについて、スイッチング時の電流漏れや消費電力の評価・改善方法を研究しています。これらの知見は、電動車や再生可能エネルギー関連機器など、実用的なパワーエレクトロニクス応用の設計効率化に直結します。 加えて、ロボット工学の領域では、二足歩行ロボットの足部に搭載したセンサデータから床面の種類を認識するシステムの開発も行われており、機械学習手法と信号処理を組み合わせた実装研究も進められています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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